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N-Channel MOSFET
N-Channel MOSFET
N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNT200N094G TO-220 200 130 ±20 9.4 -
HNT200N094G TO-220 200 130 ±20 9.4 -
HND20P050A TO-252-3L -20 -60 ±12 - 5
HNTF150N058 TO-247 150 177 ±20 5.8 -
HNTF150N058 TO-247 150 177 ±20 5.8 -
HND20P062BY TO-252-3L -20 -55 ±12 - 6.2
HNP60N045C TO-3P 60 90 ±20 4.5 -
HNP60N045C TO-3P 60 90 ±20 4.5 -
HND20P20A TO-252-3L -20 -17 ±12 - 15
HNQ80N022G TOLL 80 240 ±20 2.2 -
HNQ80N022G TOLL 80 240 ±20 2.2 -
HND60P84AG TO-252-3L -60 -12 ±20 84 105

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