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N-Channel MOSFET
N-Channel MOSFET
N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNS3N50NA PDFN5*6 500 3 ±30 2.7 -
HNS3N50NA PDFN5*6 500 3 ±30 2.7 -
HN15P19BY SOT-23 -15 -5.8 ±12 - 18.5
HND7N65Y TO-252 650 7 ±30 1.08 -
HND7N65Y TO-252 650 7 ±30 1.08 -
HN20P28DY SOT-23 -20 -5 ±12 - 27.5
HNT18N20BJ TO-220 200 18 ±30 105 -
HNT18N20BJ TO-220 200 18 ±30 105 -
HN30P330A SOT-23 -30 -0.7 ±12 330 408
HNB60N38 SOT-89 60 10 ±20 38 45.5
HNB60N38 SOT-89 60 10 ±20 38 45.5
HN30P1300KY SOT-23 -30 -0.4 ±10 - 1300

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