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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNB100N92AX SOT-89 100 3 ±20 92 98
HNB30N17A SOT-89 30 6.5 ±12 16.6 18
HNB30N17A SOT-89 30 6.5 ±12 16.6 18
HNC150N62AG SOP-8 150 4.5 ±20 61.5 -
HNC150N62AG SOP-8 150 4.5 ±20 61.5 -
HNC60N047BX SOP-8 60 20 ±20 4.7 5.8
HNC60N047BX SOP-8 60 20 ±20 4.7 5.8
HNC60N086BX SOP-8 60 12 ±20 8.6 11.3
HNC60N086BX SOP-8 60 12 ±20 8.6 11.3
HNC85N14AX SOP-8 85 9 ±20 14 17.5
HNC85N14AX SOP-8 85 9 ±20 14 17.5
HNC100N099BYG SOP-8 100 12 ±20 9.9 12.2

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