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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNA18NP1325 DFN2*2 18/-18 6/-6 ±12 - 13/25
HNM20NP0712A PDFN3.3x3.3-8L-D 20/-20 25/-20 ±12 - 7.2/12
HNM30NP2037A PDFN3.3x3.3-8L-D 30/-30 10/-7 ±20 14/34 22/46
HNS30NP0914 PDFN5x6-8L-D 30/-30 20/-20 ±20 8.8/13.6 13/18.5
HNS30NP0812 PDFN5x6-8L-D 30/-30 30/-30 ±20 8.8/11.5 12.8/16.1
HNW20NP200415K SOT-363 20/-20 1/-0.6 ±10 - 179/350
HNS18NP1527 SOT-23-6L 18/-18 5/-5 ±12 - 15/27
HNS20NP3235 SOT-23-6L 20/-20 4/-3 ±12 - 31/43
HNS30NP1834A SOT-23-6L 30/-30 6.8/-5.8 ±20 18/34 24/44
HNC30NP1627A SOP-8 30/-30 9/-7 ±20 16/35 22/48
HNC30NP1841LJ SOP-8 30/-30 9/-7 ±20 18/41 28/56
HNC30NP1737 SOP-8 30/-30 9/-7 ±20 17/37 25/60

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