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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNM30NP1024A PDFN3.3x3.3-8L-D 30/-30 18/-16 ±20 10/20 15/33
HNM30NP1433 PDFN3.3x3.3-8L-D 30/-30 10/-7 ±20 13.5/33 20.5/44
HNM30NP0722 PDFN3.3x3.3-8L-D 30/-30 15/-15 ±20 7/21.5 12/38
HNM20NP1023 PDFN3.3x3.3-8L-D 20/-20 15/-10 ±12 - 10/23
HNM30NP0813 PDFN3.3x3.3-8L-D 30/-30 24/-18 ±20 7.5/13 11/23
HNM100NP100361 PDFN3.3x3.3-8L-D 100/-100 7.5/-4.1 ±20 100/361 106/392
HNM20NP0814 PDFN3.3x3.3-8L-D 20/-20 19/-14 ±12 - 7.9/14.2
HNC40NP2161 SOP-8 40/-40 6.5/-3.5 ±20 21/61 27/82
HND30NP0709A TO-252-4L 30/-30 50/-50 ±20 7.2/9 11/13.8
HNC30NP1029 SOP-8 30/-30 12/-7 ±20 10/29.0 18/31
HNS30NP1525A PDFN5x6-8L-D 30/-30 18/-18 ±20 15/13 22/18
HN40NP04L SOT-23-6L 40/-40 8/-7 ±20 34/59 46/83

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