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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HND30NP1834 TO-252-4L 30/-30 15/-10 ±20 18/34 28/55
HND40NP1027 TO-252-4L 40/-40 30/-19 ±20 10/27 13.9/38
HND40NP0611 TO-252-4L 40/-40 50/-36 ±20 5.5/10.8 7.5/16.1
HNS30NP1021 PDFN5x6-8L-D 30/-30 16.5/-11 ±20 9.5/20.8 14.3/35
HNS30NP0621 PDFN5x6-8L-D 30/-30 31/-15 ±20 6.1/20.5 9.5/34
HNS30NP1322 PDFN5x6-8L-D 30/-30 12/-11 ±20 13/22 20/35
HNS30NP1334 PDFN5x6-8L-D 30/-30 11/-10 ±20 13/34 20/46
HNS30NP0406 PDFN5x6-8L-D 30/-30 50/-44 ±20 4.4/5.8 6.7/9.7
HNS40NP1626 PDFN5x6-8L-D 40/-40 22/-17 ±20 15.8/26 21.7/37
HNS60NP1439 PDFN5x6-8L-D 60/-60 27/-16 ±20 14.2/39 17.6/48
HNS30NP0613 PDFN5x6-8L-D 30/-30 30/-21 ±20 6.4/13 10.5/22.5
HNM20NP1823 PDFN3.3x3.3-8L-D 20/-20 7/-5 ±12 - 18/23

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