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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HND30NP1015A TO-252-4L 30/-30 25/-23 ±20 9.5/15 14.5/23.5
HNS40NP0506A PDFN5x6-8L-D 40/-40 45/-45 ±20 5.9/6.9 7.6/10
HNS40NP0810A PDFN5x6-8L-D 40/-40 36/-32 ±20 7.5/10.8 10.3/16.1
HNM20P064A PDFN3.3x3.3-8L -15 -55 ±12 - 6.5
HNM20P13A PDFN3.3x3.3-8L -20 -30 ±12 - 13
HNM20P075AD PDFN3.3x3.3-8L -20 -55 ±12 - 7.5
HNM20P049C PDFN3.3x3.3-8L -20 -55 ±12 - 5
HNM30P10BJ PDFN3.3x3.3-8L -30 -35 ±20 10 14
HNM30P054A PDFN3.3x3.3-8L -30 -50 ±20 5.4 7.2
HNM20PD14 PDFN3.3x3.3-8L-D -20 -12/-12 ±12 - 14
HNM20PD13A PDFN3.3x3.3-8L-D -20 -20/-20 ±12 - 12.5
HNS20P023A PDFN5*6 -20 -85 ±12 - 2.3

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