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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HN30P54B SOT-23 -30 -4 ±12 54 60
HN30P39A SOT-23 -30 -4.1 ±20 39 51
HN30P50LJ SOT-23 -30 -4.1 ±20 50 65
HN40P60 SOT-23 -40 -5 ±20 60 74
HN60P5000K SOT-23 -60 -0.3 ±20 5000 5700
HN60P144 SOT-23 -60 -3 ±20 144 157
HN18P16A SOT-23-3L -18 -10 ±12 - 16
HN20P13A SOT-23-3L -20 -12 ±12 - 12.4
HN20P42DL SOT-23-3L -20 -3 ±12 - 45
HN30P24A SOT-23-3L -30 -6.5 ±20 24 31
HN30P36L SOT-23-3L -30 -4.2 ±12 36 41
HN30P49BL SOT-23-3L -30 -4 ±12 49 57

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