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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNA18N12A DFN2X2-6L 18 18 ±12 - 12
HNA18N12A DFN2X2-6L 18 18 ±12 - 12
HNC30P20 SOP-8 -30 -7 ±20 20 26
HNA30N091A DFN2X2-6L 30 12 ±20 9.1 13.8
HNA30N091A DFN2X2-6L 30 12 ±20 9.1 13.8
HNH60P80 SOT-223 -60 -6 ±20 80 105
HNM20N021A PDFN3.3x3.3-8L 20 80 ±12 2.1 2.3
HNM20N021A PDFN3.3x3.3-8L 20 80 ±12 2.1 2.3
HND60P02 TO-252 -20 -60 ±12 - 5
HNM20N029A PDFN3.3x3.3-8L 20 60 ±12 - 2.9
HNM20N029A PDFN3.3x3.3-8L 20 60 ±12 - 2.9
HND4185 TO-252 -40 -70 ±20 16 22

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