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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNM40N076 PDFN3.3x3.3-8L 40 40 ±20 7.6 11.5
HNM40N076 PDFN3.3x3.3-8L 40 40 ±20 7.6 11.5
HND15P10 TO-252 -100 -15 ±20 162 179
HNM60N29A PDFN3.3x3.3-8L 60 15 ±20 29 34
HNM60N29A PDFN3.3x3.3-8L 60 15 ±20 29 34
HND30P10 TO-252 -100 -18 ±20 105 115
HNM3N50NA PDFN3.3x3.3-8L 500 3 ±30 2600 -
HNM3N50NA PDFN3.3x3.3-8L 500 3 ±30 2600 -
HND35P10 TO-252 -100 -35 ±20 36 45
HNM30ND17LX PDFN3.3x3.3-8L-D 30 10/10 ±12 17 19.5
HNM30ND17LX PDFN3.3x3.3-8L-D 30 10/10 ±12 17 19.5
HND40P10 TO-252 -100 -30 ±20 55 58

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