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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNS3ND50NA PDFN5x6-8L-D 500 3/3 ±30 2700 -
HNS3ND50NA PDFN5x6-8L-D 500 3/3 ±30 2700 -
HNA20PD450 DFN2x2-EP2 -20 -2/-2 ±8 - 450
HNS5N50NA PDFN5*6 500 5 ±30 1300 -
HNS5N50NA PDFN5*6 500 5 ±30 1300 -
HNC30PD17A SOP-8 -30 -9/-9 ±20 16.5 24.5
HNS40ND076 PDFN5x6-8L-D 40 40/40 ±20 7.6 11.5
HNS40ND076 PDFN5x6-8L-D 40 40/40 ±20 7.6 11.5
HNC40PD15A SOP-8 -40 -15/-15 ±20 15 19.5
HNU20N99KN SOT-723 20 0.75 ±10 - 99
HNU20N99KN SOT-723 20 0.75 ±10 - 99
HNA15P17BY DFN2020-6L -15 -12 ±12 - 16.7

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