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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNM30N015 PDFN3.3x3.3-8L 30 119 ±20 1.5 2.4
HNM30N015 PDFN3.3x3.3-8L 30 119 ±20 1.5 2.4
HND50P04 TO-252 -40 -40 ±20 19 26
HNM30N041C PDFN3.3x3.3-8L 30 50 ±20 4.1 6.2
HNM30N041C PDFN3.3x3.3-8L 30 50 ±20 4.1 6.2
HND25P06 TO-252 -60 -12 ±20 80 105
HNM30N034C PDFN3.3x3.3-8L 30 61 ±20 3.4 4.8
HNM30N034C PDFN3.3x3.3-8L 30 61 ±20 3.4 4.8
HND30P06 TO-252 -60 -30 ±20 66 86
HNM30M087 PDFN3.3x3.3-8L 30 18 ±20 8.7 12.7
HNM30M087 PDFN3.3x3.3-8L 30 18 ±20 8.7 12.7
HND50P06 TO-252 -60 -46 ±20 31 39

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