产品
产品
当前位置:
/
/
/
MOSFET
MOSFET
N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HN30P39CYL SOT-23-3L -30 -4.2 ±12 39 46
HN30P37A SOT-23-3L -30 -4.1 ±20 37 53
HN30P46BL SOT-23-3L -30 -4.1 ±20 46 60
HNC30P11BJ SOP-8 -30 -12 ±20 10.5 14.6
HNC30P07BJ SOP-8 -30 -15 ±20 8.5 12
HNC30P13A SOP-8 -30 -10 ±20 14 19.5
HNC30PD35A SOP-8 -30 -7.6 ±20 37 42
HNC40P08A SOP-8 -40 -20 ±20 8 11
HNC100P302A SOP-8 -100 -5 ±20 302 333
HND16P043 TO-252 -16 -70 ±12 - 4.3
HND20P050A TO-252-3L -20 -60 ±12 - 5
HND20P021A TO-252 -20 -90 ±12 - 2.1

全国服务热线

0755-86119621

深圳市宝安区西乡街道桃源社区桃源居一区1号综合楼514

传真:0755-26965316

邮箱:sales@hns-semi.com

扫一扫关注我们

Copyright © 2025 广东省华半半导体有限公司.All Right Resrrved 粤ICP备20034931号
本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*