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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNS18NP1426A SOT-23-6L 18/-18 5/-5 ±12 - 14/26
HNS30NP0812A PDFN5x6-8L-D 30/-30 35/-35 ±20 6.4/8.6 9.6/13.8
HNS20NP0404A PDFN5x6-8L-D 20/-20 50/-48 ±12 4.4/4.9 4.8/5.8
HND30NP0506A TO-252-4L 30/-30 60/-55 ±20 4.4/5.8 6.7/9.7
HNS40NP1014A PDFN5x6-8L-D 40/-40 30/-26 ±20 9.7/19.2 13.2/24.2
HNS30NP0608A PDFN5x6-8L-D 30/-30 45/-40 ±20 5.8/7.4 10/11.0
HND30NP0608A TO-252-4L 30/-30 55/-50 ±20 5.8/7.4 10/11.0
HNM30NP0912A PDFN3.3x3.3-8L-D 30/-30 18/-18 ±20 9.5/12 14.5/20.5
HNS30NP0912A PDFN5x6-8L-D 30/-30 23/-23 ±20 9.5/12 14.5/20.5
HND30NP0912A TO-252-4L 30/-30 30/-30 ±20 9.5/12 14.5/20.5
HNM30NP1015A PDFN3.3x3.3-8L-D 30/-30 17/-16 ±20 9.5/15 14.5/23.5
HNS30NP1015A PDFN5x6-8L-D 30/-30 21/-20 ±20 9.5/15 14.5/23.5

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