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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNC60NP1539 SOP-8 60/-60 7.5/-4.5 ±20 15/38.5 18.5/47
HNM30NP0812 PDFN3.3x3.3-8L-D 30/-30 27/-24 ±20 7.4/11.5 11.5/19.5
HNS30NP0506A PDFN5x6-8L-D 30/-30 50/-44 ±20 4.4/5.8 6.7/9.7
HND20NP0506Y TO-252-4L 20/-20 60/-55 ±12 - 4.8/6.2
HND60NP2738 TO-252-4L 60/-60 19/-16 ±20 27/37.5 33/46.5
HND40NP0611A TO-252-4L 40/-40 50/-36 ±20 5.3/10.8 7.7/16.1
HND30NP1021 TO-252-4L 30/-30 30/-22 ±20 9.7/20.7 15/34.3
HND40NP1014A TO-252-4L 40/-40 34/-29 ±20 9.7/19.2 13.2/24.2
HND30NP1430 TO-252-4L 30/-30 20/-14 ±20 14.3/30.3 23.6/47
HND60NP2738 TO-252-4L 60/-60 19/-16 ±20 27/37.5 33/46.5
HND40NP1528 TO-252-4L 40/-40 25/-18 ±20 15.4/28 21/39.5
HND60NP1438 TO-252-4L 60/-60 36/-22 ±20 13.5/38 16.5/47

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