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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNS30P039BJ PDFN5*6 -30 -80 ±20 3.9 5.4
HNU20P530KP SOT-723 -20 -0.66 ±12 - 530
HNW20P105 SOT-323 -20 -1.5 ±12 - 88
HN18P26 SOT-23 -18 -7 ±10 - 26
HN20P95BY SOT-23 -20 -2 ±12 - 95
HN20P42DL SOT-23 -20 -3 ±12 - 44
HN20P96F SOT-23 -20 -2 ±12 - 96
HN20P75GJ SOT-23 -20 -2.5 ±12 - 75
HN20P27E SOT-23 -20 -7 ±12 - 27
HN20P27K SOT-23 -20 -7 ±12 - 27
HN30P41A SOT-23 -30 -4.2 ±12 41 45
HN30P60A SOT-23 -30 -4 ±12 - 60

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