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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HND60P22A TO-252 -60 -65 ±20 22 28
HND30P12A TO-252 -30 -30 ±20 12 18
HND30P074BJ TO-252 -30 -50 ±20 7.4 10
HND30P11BJ TO-252 -30 -45 ±20 10.5 14.5
HND30P040BJ TO-252 -30 -100 ±20 4 5.3
HND40P075A TO-252 -40 -40 ±20 7.5 9.8
HND60P10A TO-252 -60 -55 ±20 10 13
HNTP40P035A TO-263 -40 -115 ±20 3.4 4.8
HNH100P155A SOT-223 -100 -3 ±20 155 164
HN30P31P SOT-23 -30 -4.5 ±20 31 48
HN40P57 SOT-23 -40 -5 ±20 57 70
HNC20P13 SOP-8 -20 -11 ±12 13 17

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