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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNM30ND11A PDFN3.3x3.3-8L-D 30 22/22 ±20 10.4 15.8
HNM30ND11A PDFN3.3x3.3-8L-D 30 22/22 ±20 10.4 15.8
HND50P10 TO-252 -100 -30 ±20 37 56
HNS30N022A PDFN5*6 30 140 ±20 2.2 3.3
HNS30N022A PDFN5*6 30 140 ±20 2.2 3.3
HNS30P074BJ PDFN5*6 -30 -50 ±20 7.4 10
HNS30N046C PDFN5*6 30 90 ±20 4 5.4
HNS30N046C PDFN5*6 30 90 ±20 4 5.4
HNH30P13BJ SOT-223 -30 -16 ±20 12 16.5
HNS30N015A PDFN5*6 30 150 ±20 1.5 2.4
HNS30N015A PDFN5*6 30 150 ±20 1.5 2.4
HNS60P22A PDFN5*6 -60 -65 ±20 22 28

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