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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNQ40N010A8G PDFN5*6 40 260 ±20 1 1.3
HNQ40N010A8G PDFN5*6 40 260 ±20 1 1.3
HNM40P09A PDFN3.3x3.3-8L -40 -30 ±20 9 11
HNS60N13AX PDFN5*6 60 50 ±20 13 17
HNS60N13AX PDFN5*6 60 50 ±20 13 17
HNS60P03L PDFN5*6 -30 -45 ±20 6 9.9
HNS100N077G PDFN5*6 100 80 ±20 6.9 8.4
HNS100N077G PDFN5*6 100 80 ±20 6.9 8.4
HNS25P06L PDFN5*6 -60 -25 ±20 31 40
HNS100N056 PDFN5*6 100 93 ±20 5.6 7.3
HNS100N056 PDFN5*6 100 93 ±20 5.6 7.3
HNC30PD15 SOP-8 -30 -10/-10 ±20 15 20

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