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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HN20N42F SOT-23 20 3 ±12 - 42
HN20N42F SOT-23 20 3 ±12 - 42
HNT60P073AG TO-220C-3L -60 -88 ±20 7.3 -
HN20N38HJ SOT-23 20 3 ±12 - 35
HN20N38HJ SOT-23 20 3 ±12 - 35
HNT60P08ARG TO-220C-3L -60 -85 ±20 8 11.3
HN20N16K SOT-23 20 5 ±10 - 16
HN20N16K SOT-23 20 5 ±10 - 16
HNT60P12ARG TO-220C-3L -60 -60 ±20 12 15
HN30N23A SOT-23 30 5.8 ±12 23 24
HN30N23A SOT-23 30 5.8 ±12 23 24
HNT60P21ARG TO-220C-3L -60 -50 ±20 17.4 -

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