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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HN20N23DL SOT-23-3L 20 6 ±12 - 23
HN20N23DL SOT-23-3L 20 6 ±12 - 23
HNS40P034A PDFN5x6-8L -40 -115 ±20 3.2 4.4
HN20N32HL SOT-23-3L 20 4 ±12 - 32
HN20N32HL SOT-23-3L 20 4 ±12 - 32
HNS40P069A PDFN5x6-8L -40 -71 ±20 6.9 10
HN20N12A SOT-23-3L 20 10 ±12 - 13
HN20N12A SOT-23-3L 20 10 ±12 - 13
HNS40P11A PDFN5x6-8L -40 -36 ±20 10.7 15.9
HN30N22A SOT-23-3L 30 5.8 ±12 22 24
HN30N22A SOT-23-3L 30 5.8 ±12 22 24
HNS40P087A PDFN5x6-8L -40 -40 ±20 8.7 12.5

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