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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HN30N28A SOT-23-3L 30 5 ±12 28 30
HN30N28A SOT-23-3L 30 5 ±12 28 30
HNS40P26A PDFN5x6-8L -40 -19 ±20 26 38
HN30N28BL SOT-23-3L 30 5 ±12 28 30
HN30N28BL SOT-23-3L 30 5 ±12 28 30
HNS60P079A PDFN5x6-8L -60 -76 ±20 7.9 9.8
HN30N21AXL SOT-23-3L 30 5.8 ±12 18.5 20
HN30N21AXL SOT-23-3L 30 5.8 ±12 18.5 20
HNS60P12A PDFN5x6-8L -60 -55 ±20 12 15
HN30N20BL SOT-23-3L 30 5 ±20 20 27
HN30N20BL SOT-23-3L 30 5 ±20 20 27
HNS80P14A PDFN5x6-8L -80 -56 ±20 13.9 15.5

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