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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNC30ND21A SOP-8 30 8/8 ±20 21 22
HNC30ND21A SOP-8 30 8/8 ±20 21 22
HN100P326A SOT-23-3L -100 -1.6 ±20 326 355
HNC30ND11A SOP-8 30 12/12 ±20 11 15.5
HNC30ND11A SOP-8 30 12/12 ±20 11 15.5
HN100P616A SOT-23-3L -100 -1.1 ±20 589 623
HNC40ND14A SOP-8 40 10/10 ±20 14 15.6
HNC40ND14A SOP-8 40 10/10 ±20 14 15.6
HN30P37BYL SOT-23-3L -30 -4.1 ±20 37 53
HNC60ND09AX SOP-8 60 12/12 ±20 9 11
HNC60ND09AX SOP-8 60 12/12 ±20 9 11
HN30P51A SOT-23-3L -30 -3.8 ±20 51 76

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