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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNH60N60 SOT-223-3L 60 5 ±20 60 72
HNH60N60 SOT-223-3L 60 5 ±20 60 72
HN30P16A SOT-23-3L -30 -8 ±20 16 26
HNC20ND20A SOP-8 20 6/6 ±12 - 20
HNC20ND20A SOP-8 20 6/6 ±12 - 20
HN30P20A SOT-23-3L -30 -6 ±20 20 32
HNC30N095A SOP-8 30 13 ±20 9.5 14.5
HNC30N095A SOP-8 30 13 ±20 9.5 14.5
HN40P30A SOT-23-3L -40 -5.5 ±20 30 42
HNC30N05A SOP-8 30 20 ±20 4.6 6.8
HNC30N05A SOP-8 30 20 ±20 4.6 6.8
HN60P155A SOT-23-3L -60 -1.8 ±20 155 195

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