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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HN30N12A SOT-23-3L 30 8 ±20 12.5 17.5
HN30N12A SOT-23-3L 30 8 ±20 12.5 17.5
HNS100P26A PDFN5x6-8L -100 -40 ±20 26 28
HN60N33A SOT-23-3L 60 15 ±20 33 37
HN60N33A SOT-23-3L 60 15 ±20 33 37
HNS100P45A PDFN5x6-8L -100 -28 ±20 45 47
HN100N93AXLG SOT-23-3L 100 5 ±20 88 112
HN100N93AXLG SOT-23-3L 100 5 ±20 88 112
HNS100P82A PDFN5x6-8L -100 -18 ±20 82 87
HN2N7002KNDW SOT-363 60 0.2/0.2 ±20 1600 1900
HN2N7002KNDW SOT-363 60 0.2/0.2 ±20 1600 1900
HNS30P075A PDFN5x6-8L -30 -45 ±20 7.5 13

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