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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNC60N16A SOP-8 65 10 ±20 16 18
HNC60N16A SOP-8 65 10 ±20 16 18
HN15P15A SOT-23-3L -15 -7 ±12 - 15
HND20N038A TO-252 20 75 ±12 - 3.8
HND20N038A TO-252 20 75 ±12 - 3.8
HN20P16A SOT-23-3L -20 -8 ±12 - 15.3
HND20N048A TO-252 20 60 ±12 - 4.8
HND20N048A TO-252 20 60 ±12 - 4.8
HN20P17A SOT-23-3L -20 -7 ±12 - 16.5
HND20N052A TO-252 20 50 ±12 - 5.2
HND20N052A TO-252 20 50 ±12 - 5.2
HN20P22EYL SOT-23-3L -20 -5.5 ±12 - 21.8

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