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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HND30N070A TO-252 30 60 ±20 7 11.5
HND30N070A TO-252 30 60 ±20 7 11.5
HN30P42BYL SOT-23-3L -30 -4.2 ±12 42 46
HND30N036A TO-252 30 100 ±20 3.6 7.4
HND30N036A TO-252 30 100 ±20 3.6 7.4
HN30P56A SOT-23-3L -30 -4 ±12 56 67
HND30N044C TO-252 30 70 ±20 4.2 6.9
HND30N044C TO-252 30 70 ±20 4.2 6.9
HN60P80A SOT-23-3L -60 -3.1 ±20 80 101
HND30N040C TO-252 30 90 ±20 4 5.9
HND30N040C TO-252 30 90 ±20 4 5.9
HND40P043AG TO-252-3L -40 -110 ±25 4.3 -

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