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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HND30N026A TO-252 30 150 ±20 2.8 3.9
HND30N026A TO-252 30 150 ±20 2.8 3.9
HND30P12A TO-252-3L -30 -35 ±20 12 20.5
HND30N037 TO-252 30 80 ±20 3.8 5.3
HND30N037 TO-252 30 80 ±20 3.8 5.3
HND40P037A TO-252-3L -40 -115 ±20 3.7 4.9
HND40N034 TO-252 40 100 ±20 3.4 5.4
HND40N034 TO-252 40 100 ±20 3.4 5.4
HND40P11A TO-252-3L -40 -36 ±20 10.7 15.7
HND60N12A TO-252 60 50 ±20 12 13
HND60N12A TO-252 60 50 ±20 12 13
HND40P089A TO-252-3L -40 -45 ±20 8.9 12.8

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