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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNC30NP1529 SOP-8 30/-30 12/-12 ±20 6.8/29 12/31
HNC40NP2834A SOP-8 40/-40 10/-10 ±20 27/31 36/37
HND20NP0505 TO-252-4L 20/-20 60/-60 ±12 - 6.2/5.9
HND40NP1628 TO-252-4L 40/40 34/-24 ±20 13/28 16/40
HNM40NP2444 PDFN3.3x3.3-8L-D 40/-40 10/-10 ±20 28/34 37/39
HNS40NP2135 PDFN5x6-8L-D 40/-40 16/-16 ±20 21/35 24/51
HN30NPD1230 DFN3*4 30/-30 8/-7 ±20 12/30 19/45
HN4614C SOP-8 40/-40 10/-9 ±20 34/59 46/83
HN4614B SOP-8 40/-40 11/-10 ±20 23/48 33/64
HN4614A SOP-8 40/-40 13/-12 ±20 18/31 25/44
HNM40NP2030Y PDFN3.3x3.3-8L-D 40/-40 16/-16 ±20 18/31 25/44
HNC60NP5980 SOP-8 60/-60 4/-3.4 ±20 59/80 70/101

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