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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNS30N043AX PDFN5*6 30 60 ±20 4.3 6.5
HNS30N037A8G PDFN5*6 30 80 ±20 3.7 5.3
HNS30N037A8G PDFN5*6 30 80 ±20 3.7 5.3
HNS40N008APG PDFN5*6 40 250 ±20 0.76 1.1
HNS40N008APG PDFN5*6 40 250 ±20 0.76 1.1
HNS40N006BYPG PDFN5*6 40 315 ±20 0.57 0.79
HNS40N006BYPG PDFN5*6 40 315 ±20 0.57 0.79
HNS40N011A8G PDFN5*6 40 260 ±20 1.03 1.36
HNS40N011A8G PDFN5*6 40 260 ±20 1.03 1.36
HNS40N015AG PDFN5*6 40 140 ±20 1.5 2
HNS40N015AG PDFN5*6 40 140 ±20 1.5 2
HNS40N03AX PDFN5*6 40 95 ±20 3 3.9

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