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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNS22N017AX PDFN5*6 22 130 ±20 1.7 -
HNS40N025AX PDFN5*6 40 100 ±20 2.5 -
HNS40N025AX PDFN5*6 40 100 ±20 2.5 -
HNS68N058AX PDFN5*6 68 83 ±20 5.8 -
HNS68N058AX PDFN5*6 68 83 ±20 5.8 -
HNS30N014AX PDFN5*6 30 160 ±20 1.4 2.3
HNS30N014AX PDFN5*6 30 160 ±20 1.4 2.3
HNS30N015AX PDFN5*6 30 150 ±20 1.5 2.4
HNS30N015AX PDFN5*6 30 150 ±20 1.5 2.4
HNS30N022AX PDFN5*6 30 130 ±20 2.2 3.3
HNS30N022AX PDFN5*6 30 130 ±20 2.2 3.3
HNS30N026AX PDFN5*6 30 100 ±20 2.6 3.8

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