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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HND80N06S TO-252 60 80 ±20 7 -
HND80N06S TO-252 60 80 ±20 7 -
HN100P600A SOT-23 -100 -1 ±20 600 636
HND24N06 TO-252 60 15 ±20 31.5 41
HND24N06 TO-252 60 15 ±20 31.5 41
HN30P51A SOT-23 -30 -3.8 ±20 51 77
HNM30N087A PDFN3.3x3.3-8L 30 18 ±20 8.7 12.7
HNM30N087A PDFN3.3x3.3-8L 30 18 ±20 8.7 12.7
HN30P37CY SOT-23 -30 -4.2 ±20 37 59
HND90N06 TO-252 60 90 ±20 5.9 -
HND90N06 TO-252 60 90 ±20 5.9 -
HN50P3300KY SOT-23 -50 -0.22 20 3300 4200

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