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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HND9N20 TO-252 200 9 ±30 200 -
HND9N20 TO-252 200 9 ±30 200 -
HN15P30CSY SOT-23 -15 -3.8 12 - 30
HND18N20 TO-252 200 18 ±20 120 -
HND18N20 TO-252 200 18 ±20 120 -
HN15P71DY SOT-23 -15 -2 ±12 - 71
HNS40N010WP PDFN5*6 40 240 ±20 1 -
HNS40N010WP PDFN5*6 40 240 ±20 1 -
HN20P95BY SOT-23 -20 -2 ±12 - 95
HND30N20 TO-252 200 19 ±20 105 -
HND30N20 TO-252 200 19 ±20 105 -
HN20P24EY SOT-23 -20 -5 ±12 - 24

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