产品
产品
当前位置:
/
/
/
MOSFET
MOSFET
N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HN20N22 SOT-23 20 6 ±12 - 22
HN20N22 SOT-23 20 6 ±12 - 22
HN30P55A SOT-23 -30 -4 ±16 55 67
HN60N75A SOT-23 60 3 ±20 75 88
HN60N75A SOT-23 60 3 ±20 75 88
HN30P38CY SOT-23 -30 -4.2 ±12 38 46
HND65R380 TO-252 650 13 ±30 330 -
HND65R380 TO-252 650 13 ±30 330 -
HN20P70FA SOT-23 -20 -2.5 ±12 - 70
HNF16N65YC TO-220 650 16 ±30 450 -
HNF16N65YC TO-220 650 16 ±30 450 -
HN20P30AKY SOT-23 -20 -4.5 ±10 - 30

全国服务热线

0755-86119621

深圳市宝安区西乡街道桃源社区桃源居一区1号综合楼514

传真:0755-26965316

邮箱:sales@hns-semi.com

扫一扫关注我们

Copyright © 2025 广东省华半半导体有限公司.All Right Resrrved 粤ICP备20034931号
本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*