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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNS165N03L PDFN5*6 30 100 ±20 2.4 4
HNS165N03L PDFN5*6 30 100 ±20 2.4 4
HN20P320KY SOT-723-3L -20 -0.5 ±10 - 320
HNM30N018 PDFN3.3x3.3-8L 30 119 ±20 1.8 2.7
HNM30N018 PDFN3.3x3.3-8L 30 119 ±20 1.8 2.7
HN60P80AG SOT-23 -60 -3 20 80 104
HNS180N03L PDFN5*6 30 180 ±20 2.2 3.3
HNS180N03L PDFN5*6 30 180 ±20 2.2 3.3
HNS100N92A SOT-23-6L 100 3 20 92 98
HNS60N04L PDFN5*6 40 60 ±20 7.8 11.2
HNS60N04L PDFN5*6 40 60 ±20 7.8 11.2
HNB100P330A SOT-89-3L -100 -1.8 ±20 330 359

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