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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNS90N06 PDFN5*6 60 90 ±20 5.4 -
HNS90N06 PDFN5*6 60 90 ±20 5.4 -
HNC40P26A SOP-8 -40 -6.3 ±20 26 37
HNF20N50YC TO-220 500 20 ±30 220 -
HNF20N50YC TO-220 500 20 ±30 220 -
HNC60P15A SOP-8 -60 -10 ±20 15 17.5
HNS150N06L PDFN5*6 60 150 ±20 2.9 3.7
HNS150N06L PDFN5*6 60 150 ±20 2.9 3.7
HNC60P77A SOP-8 -60 -3.4 ±20 77 97
HNF5N50YC TO-220 500 5 ±30 1400 -
HNF5N50YC TO-220 500 5 ±30 1400 -
HNC100P151A SOP-8 -100 -2.5 ±20 151 160

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