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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HND60N11A TO-252 60 50 ±20 11 13.1
HND60N11A TO-252 60 50 ±20 11 13.1
HNM30P044A PDFN3.3x3.3-8L -30 -55 ±20 4.4 7.3
HNT7N65 TO-220 650 4 ±30 1000 -
HNT7N65 TO-220 650 4 ±30 1000 -
HNM30P074A PDFN3.3x3.3-8L -30 -40 ±20 7.4 13.5
HND40N10A TO-252 40 40 ±20 10 12
HND40N10A TO-252 40 40 ±20 10 12
HNM30P057A PDFN3.3x3.3-8L -30 -45 ±20 5.7 9.7
HND30N060A TO-252 30 50 ±20 6 8.8
HND30N060A TO-252 30 50 ±20 6 8.8
HNM30P12A PDFN3.3x3.3-8L -30 -24 ±20 11.5 19.5

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