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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNM30N055A PDFN3.3x3.3-8L 30 40 ±20 5.5 8
HNM30N055A PDFN3.3x3.3-8L 30 40 ±20 5.5 8
HNM40P18A PDFN3.3x3.3-8L -40 -18 ±20 18 27
HNM30N041A PDFN3.3x3.3-8L 30 52 ±20 4.1 6.2
HNM30N041A PDFN3.3x3.3-8L 30 52 ±20 4.1 6.2
HNM40P60A PDFN3.3x3.3-8L -40 -10 ±20 60 80
HNM100N15G PDFN3.3x3.3-8L 100 24 ±20 14.5 17.2
HNM100N15G PDFN3.3x3.3-8L 100 24 ±20 14.5 17.2
HNM100P82A PDFN3.3x3.3-8L -100 -16 ±20 83 89
HN20N11L SOT-23-3L 20 10 ±12 - 11
HN20N11L SOT-23-3L 20 10 ±12 - 11
HNM30P075A PDFN3.3x3.3-8L -30 -42 ±20 7.5 13.5

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