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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNF12N65YC TO-220 650 12 ±30 610 -
HNF12N65YC TO-220 650 12 ±30 610 -
HNA20P10A DFN2020-6L -20 -18 ±12 - 10
HND200N80BJ TO-252 200 28 ±30 80 -
HND200N80BJ TO-252 200 28 ±30 80 -
HNA20P14A DFN2020-6L -20 -16 ±12 - 13.5
HNTP60N068AXD TO-263 60 80 ±20 6.8 8.6
HNTP60N068AXD TO-263 60 80 ±20 6.8 8.6
HNA20P15A DFN2020-6L -20 -15 ±12 - 15
HN20N50TLA SOT-23 20 3 ±12 50 67
HN20N50TLA SOT-23 20 3 ±12 50 67
HNA20P19EY DFN2020-6L -20 -12 ±12 - 18.5

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