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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HN100N90AXLG SOT-23-3L 100 5 ±20 90 112
HN100N90AXLG SOT-23-3L 100 5 ±20 90 112
HNM20P05A PDFN3.3x3.3-8L -20 -55 ±12 - 5
HND70N10 TO-251 100 88 ±20 8.5 -
HND70N10 TO-251 100 88 ±20 8.5 -
HNM20P058BY PDFN3.3x3.3-8L -20 -55 ±12 - 5.8
HNF18N20 TO-220 200 18 ±20 120 -
HNF18N20 TO-220 200 18 ±20 120 -
HNM20P084A PDFN3.3x3.3-8L -20 -30 ±12 - 8.4
HND20N20 TO-252 200 18 ±18 170 -
HND20N20 TO-252 200 18 ±18 170 -
HNM100P36AG PDFN3.3x3.3-8L -100 -30 ±20 35.3 42.2

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