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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNF5N50 TO-220 500 5 ±30 1500 -
HNF5N50 TO-220 500 5 ±30 1500 -
HNA30P14A DFN2020-6L -30 -13 ±20 13.6 22.4
HNF7N65 TO-220 650 7 ±30 1000 -
HNF7N65 TO-220 650 7 ±30 1000 -
HNA15P083A DFN2020-6L -15 -20 ±12 - 8.3
HNA60N30A DFN2X2-6L 60 15 ±20 30 34
HNA60N30A DFN2X2-6L 60 15 ±20 30 34
HNA15P12A DFN2020-6L -15 -16 ±12 - 11.5
HNF10N65YC TO-220 650 10 ±30 800 -
HNF10N65YC TO-220 650 10 ±30 800 -
HNA15P17BY DFN2020-6L -15 -12 ±12 - 16.7

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