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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNC60N22A SOP-8 60 15 ±20 22 30
HNC60N22A SOP-8 60 15 ±20 22 30
HNC30P13AX SOP-8 -30 -12 ±20 13 21
HNS50N06L PDFN5*6 60 50 ±20 13 19
HNS50N06L PDFN5*6 60 50 ±20 13 19
HNC30P20A SOP-8 -30 -8 ±20 20 33
HNS80N06L PDFN5*6 60 80 ±20 7.2 9
HNS80N06L PDFN5*6 60 80 ±20 7.2 9
HNC40P10A SOP-8 -40 -11 ±20 10 13.6
HNT100N091AX TO-220 100 75 ±20 9.1 -
HNT100N091AX TO-220 100 75 ±20 9.1 -
HNC40P20A SOP-8 -40 -7.5 ±20 20 29

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