产品
产品
当前位置:
/
/
/
MOSFET
MOSFET
N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNQ40N007A8G TOLL 40 385 ±20 0.62 -
HNQ60N015BX TOLL 60 270 ±20 1.3 1.7
HNQ60N015BX TOLL 60 270 ±20 1.3 1.7
HNQ100N012AX TOLL 100 402 ±20 1.2 1.45
HNQ100N012AX TOLL 100 402 ±20 1.2 1.45
HNQ30N015AX TOLL 30 205 ±20 1.45 2.3
HNQ30N015AX TOLL 30 205 ±20 1.45 2.3
HNA30N054AX DFN2X2-6L 30 25 ±20 5.4 7.4
HNA30N054AX DFN2X2-6L 30 25 ±20 5.4 7.4
HNA40N065A8G DFN2X2-6L 40 18 ±20 6.7 8.7
HNA40N065A8G DFN2X2-6L 40 18 ±20 6.7 8.7
HNA60N16AX DFN2X2-6L 60 15 ±20 15.5 22

全国服务热线

0755-86119621

深圳市宝安区西乡街道桃源社区桃源居一区1号综合楼514

传真:0755-26965316

邮箱:sales@hns-semi.com

扫一扫关注我们

Copyright © 2025 广东省华半半导体有限公司.All Right Resrrved 粤ICP备20034931号
本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*