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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNA60N16AX DFN2X2-6L 60 15 ±20 15.5 22
HNA100N21BYG DFN2X2-6L 100 14 ±20 20.5 25.3
HNA100N21BYG DFN2X2-6L 100 14 ±20 20.5 25.3
HNA30N076AX DFN2X2-6L 30 23 ±20 7.6 10.9
HNA30N076AX DFN2X2-6L 30 23 ±20 7.6 10.9
HNA30N08AX DFN2X2-6L 30 22 ±20 8 12
HNA30N08AX DFN2X2-6L 30 22 ±20 8 12
HNA30N10AX DFN2X2-6L 30 16 ±20 10.3 15
HNA30N10AX DFN2X2-6L 30 16 ±20 10.3 15
HNA40N11AX DFN2X2-6L 40 13 ±20 10.9 13.5
HNA40N11AX DFN2X2-6L 40 13 ±20 10.9 13.5
HNA12N057AX DFN2X2-6L 12 17 ±12 - 5.7

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