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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNM85ND15 PDFN3.3x3.3-8L-D 85 24/24 ±20 15 18.8
HNQ40N0073APG TOLL 40 295 ±20 0.73 1.1
HNQ40N0073APG TOLL 40 295 ±20 0.73 1.1
HNS20N13A SOT-23-6L 20 6.8 ±12 - 13.5
HNS20N13A SOT-23-6L 20 6.8 ±12 - 13.5
HND30N029AX TO-252-3L 30 100 ±20 2.8 4
HND30N029AX TO-252-3L 30 100 ±20 2.8 4
HND30N044A TO-252-3L 30 100 ±20 3.4 5
HND30N044A TO-252-3L 30 100 ±20 3.4 5
HNT150N15AG TO-220C-3L 150 80 ±20 11.5 -
HNT150N15AG TO-220C-3L 150 80 ±20 11.5 -
HND60N12AXH TO-252-3L 60 50 ±20 11.5 -

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