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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNTP100N037AXIG TO-262-3L 100 150 ±20 3.7 -
HNQ120N019AX TOLL 120 285 ±20 1.9 -
HNQ120N019AX TOLL 120 285 ±20 1.9 -
HNS100N92A SOT-23-6L 100 3 ±20 90 96
HNS100N92A SOT-23-6L 100 3 ±20 90 96
HNS100ND220AX PDFN5x6-8L-D 100 4.5/4.5 ±20 220 235
HNS100ND220AX PDFN5x6-8L-D 100 4.5/4.5 ±20 220 235
HNS30ND060A PDFN5x6-8L-D 30 35/35 ±20 6 9
HNS30ND060A PDFN5x6-8L-D 30 35/35 ±20 6 9
HNS40ND059A PDFN5x6-8L-D 40 45/45 ±20 5.9 7.6
HNS40ND059A PDFN5x6-8L-D 40 45/45 ±20 5.9 7.6
HNS40ND14AX PDFN5x6-8L-D 40 20/20 ±20 13.9 20.4

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