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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HN100N93AXL SOT-23-3L 100 3.5 ±20 93 113
HN30N087AXLG SOT-23-3L 30 10 ±20 8.7 11.7
HN30N087AXLG SOT-23-3L 30 10 ±20 8.7 11.7
HNQ100N0011AX TOLL 100 430 ±20 1.07 -
HNQ100N0011AX TOLL 100 430 ±20 1.07 -
HNS40N011A8G PDFN5x6-8L 40 227 ±20 1.05 1.4
HNS40N011A8G PDFN5x6-8L 40 227 ±20 1.05 1.4
HNQS0073APG sTOLL 40 295 ±20 0.73 1.1
HNQS0073APG sTOLL 40 295 ±20 0.73 1.1
HNQS100N022AXPG sTOLL 100 170 ±20 2.2 2.9
HNQS100N022AXPG sTOLL 100 170 ±20 2.2 2.9
HNTP100N037AXIG TO-262-3L 100 150 ±20 3.7 -

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