产品
产品
当前位置:
/
/
/
MOSFET
MOSFET
N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNM68ND19A PDFN3.3x3.3-8L-D 68 21/21 ±20 19 22
HNM40ND24AX PDFN3.3x3.3-8L-D 40 10/10 ±20 24 32
HNM40ND24AX PDFN3.3x3.3-8L-D 40 10/10 ±20 24 32
HNS30N032E PDFN5x6-8L 30 103 ±20 3.2 5.9
HNS30N032E PDFN5x6-8L 30 103 ±20 3.2 5.9
HNS60N037 PDFN5x6-8L 60 114 ±20 3.7 -
HNS60N037 PDFN5x6-8L 60 114 ±20 3.7 -
HN20N20B SOT-23 20 6 ±12 - 20
HN20N20B SOT-23 20 6 ±12 - 20
HNTP60N072AX TO-263-3L 60 82 ±20 7.2 9
HNTP60N072AX TO-263-3L 60 82 ±20 7.2 9
HNT100N07AG TO-220 100 92 ±20 7 -

全国服务热线

0755-86119621

深圳市宝安区西乡街道桃源社区桃源居一区1号综合楼514

传真:0755-26965316

邮箱:sales@hns-semi.com

扫一扫关注我们

Copyright © 2025 广东省华半半导体有限公司.All Right Resrrved 粤ICP备20034931号
本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*