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MOSFET
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N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNQ100N012AG TOLL 100 367 ±20 1.2 -
HND45N13A TO-252-3L 45 35 ±20 13 15
HND45N13A TO-252-3L 45 35 ±20 13 15
HNEL138K DFN1006-3L 60 0.2 ±20 1700 1900
HNEL138K DFN1006-3L 60 0.2 ±20 1700 1900
HN15N13AX SOT-23 12 7 ±12 - 12.5
HN15N13AX SOT-23 12 7 ±12 - 12.5
HNH30N20A SOT-223-3L 30 7.8 ±20 20.5 22
HNH30N20A SOT-223-3L 30 7.8 ±20 20.5 22
HNC12ND11AX SOP-8 12 7.0/7.0 ±12 - 10.5
HNC12ND11AX SOP-8 12 7.0/7.0 ±12 - 10.5
HNS30N08A PDFN5x6-8L 30 40 ±20 8 11.5

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