产品
产品
当前位置:
/
/
/
MOSFET
MOSFET
N MOSFET(N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是一种以电子为主要载流子的电压驱动型半导体器件,核心由栅极(G)、源极(S)、漏极(D)及栅极与沟道间的绝缘氧化层构成,通过栅极施加正向电压并超过阈值电压时形成 N 型导电沟道,实现源漏极间电流的精准调控,它具备输入阻抗极高、开关速度快、导通电阻低、功耗小、集成度高的优势,广泛应用于开关电源、数字芯片(如 CPU、MCU)、电机驱动、逆变器、射频放大器等电子电路中,是现代电子设备中核心的开关与放大元件。
Product Name Package VDS(max)(V) ID(max)(A) PD(W) VGS(max)(V) RDS(on)(typ)(@10V) (mΩ) RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ)
HNS090M06 SOP8 60 V 23 A 2.1 W ±20 V 68 mΩ 85 mΩ
HN70N03CE PDFN3*3-8L 30 V 70 A 59 W ±20 V 3.5 mΩ 6.5 mΩ
HN50N20PM TO-247-3L 200 V 50 A 104 W ±20 V 50 mΩ
HNS3506D TO-252-2L -60V -50A 60 W ±20 V 22 mΩ 27 mΩ
HNS60D12K TO-252 -2L -60 -12 60 ±20 V 84 mΩ 100 mΩ
HN60P03DF PDFN3*3-8L -30 V -60 A 38 W ±20 V 6.8 mΩ 9.3 mΩ
HN60P03D TO-252-2L -30 V -60 A 3.5 W ±20 V 6.4 mΩ 8.3 mΩ
HN40P03DF PDFN3*3-8L -30 V -40 A 3.1 W ±20 V 11 mΩ 16 mΩ
HN30P04NF PDFN5*6-8L -40 V -30 A 52.1 W ±20 V 10.5 mΩ 15 mΩ
HN30P06D TO-252-2L -60 V -30 A 90 W ±20 V 37 mΩ -
HN2311BI SOT23L -12 -4.8 A 1 W ±12 V 26 mΩ 35 mΩ
HN10P04D TO-252-3L -40V -10 A 25 W ±20 V 60 mΩ 85 mΩ

全国服务热线

0755-86119621

深圳市宝安区西乡街道桃源社区桃源居一区1号综合楼514

传真:0755-26965316

邮箱:sales@hns-semi.com

扫一扫关注我们

Copyright © 2025 广东省华半半导体有限公司.All Right Resrrved 粤ICP备20034931号
本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*